TCO（Transparent conductive oxide）玻璃，即透明导电氧化物镀膜玻璃 ，是在平板玻璃表面通过物理或者化学镀膜的方法均匀镀上一层透明的导电氧化物薄膜。
AZO ZnO：Al （Al-doped ZnO，Aluminum-doped zinc oxide）
氧化铟锡 ITO Indium-Tin-Oxide In2O3：SnO2
氧化锡掺氟FTO SnO2：F
其中AZO ，ITO， FTO均为TCO的一种。
磁控溅射 Magnetron sputtering
中频 MF Mid-frequency
直流 DC Direct current
交流 AC Alternating current
射频 RF Radio frequency
物理气相沉积 PVD Physical Vapor Deposition
化学气相沉积CVD Chemical Vapor Deposition
等离子体增强化学气相沉积PECVD Plasma enhanced CVD
双平面阴极 Double planar Cathode
孪生阴极 Twin-Mag Cathode
旋转阴极 Rotatable Cathode
AZO陶瓷靶 AZO ceramic target
高纯度靶 high purity target
透过率 transmittance
反射率 reflectivity
吸收率 absorbtivity
空气质量 AM air mass
面电阻 sheet resistance
辉光放电 glow discharge
起辉电压 discharge voltage
打 弧 arcing
离子轰击 ion bombardment
靶中毒 target poisoning
载流子浓度 carrier concentration
霍耳迁移率 Hall mobility
电阻率 specific resistivity
四探针（测量面电阻）Four-point-probe
托 架 carrier
装片台 Load locking
进口室 Entrance chamber
加热室 Heating chamber
传送室 transfer chamber
溅射室 sputter chamber
冷却室 Cooling chamber
出口室 Exit chamber
冷却系统 cooling system
抽气系统 pumping system
排气装置 exhaust
阻挡层 Barrier film
透明电极 Transparent electrode
工艺气体 Process Gas
衬底温度 Substrate Temperature
溅射功率 Sputter power
功率密度 Power density
动态沉积速率 dynamic deposition rate/dynamic sputtering speed
预溅射 presputtering
溅射速率 Sputter rate
靶材利用率 target utilization
靶材寿命 target lifetime
洛伦兹力 Lorentz force
磁场强度 Magnetic field strength
惰性气体 Noble gas（Ar Argon）
生产速率 growing speed
薄膜结构 film structure
热电偶 thermocouple
靶材冷却 target cooling
本底真空 base pressure
粗真空 rough vacuum 1.01×105～1.33×103Pa
高真空 high vacuum 1.33×10-1～1.33×10-6Pa
超高真空 ultra high vacuum 1.33×10-6～1.33×10-10Pa
0.5%盐酸 diluted hydrochloric acid
刻 蚀 etching
在线中频磁控反应溅射 in-line reactive MF magnetron sputtering
晶粒尺寸 Grain size
阳极，正极 node
阴极，负极 Cathode
阴极防蚀 Cathodic Protection
冷阴极真空规 MPG
薄膜电容规 CDG
质量流量计 MFC mass flow controller
螺杆泵 Screw Pump
旋片泵 Rotary Vane Pump
罗茨泵 Roots Pump
分子泵 Turbomolecular Pump
漏 率 leak rate
压缩空气 compressed air
节 拍 cycle time
锁 阀 Lock valve
泵 组 Pump Unit
单晶硅 Mono crystal silicon
晶体硅 C-Si, crystalline-silicon
微晶硅 microcrystal silicon
非晶硅 amorphous silicon a-Si:H
碲化镉 CdTe Cadmium-Tellurid
铜铟镓硒 CIGS Copper Indium Gallium Diselenide
CIS Copper-Indium-Diselenide
砷化镓 GaAs Galllium Arsenid
太阳能薄膜电池 thin film solar cell
非晶硅太阳电池（a—si太阳电池）amorphous silicon solar cell
附着力（薄膜与基体间） adhesion
均 匀（薄膜厚度） uniformity
绝缘的 insulating
二极管 Diode
施 主 Donator
受 主 Acceptor
空 穴 Hole
电 子 Electron
离 子 Ion
原 子 Atom
光吸收 Absorption of the photons
太阳能电池成本收回时间 Marginal cost payment time
电池板模块 Module
额定功率 Module rated power
转换效率 Conversion Efficiency
多 子 Majority charge carrier描述半导体里的带电体，通常决定于掺杂的类型，例如在p型多子是空穴，n型多子则是电子。
少 子 Minority charge carrier
N型半导体 N-Type Semiconductor
电池板模块的效率 Module efficiency
太阳能电池板上的金属导线 grid
额定功率 Module rated power
电池板最大功率点 MPP max power point
光伏效应 Photovoltaic effect
PN结 PN junction
晶 片 Wafer
Watt-Peak： (缩写 W p)，是描述电池板功率的单位。
价 带 Valence band
导 带 Conduction band
禁 带 Band Gap
兆 瓦 Megawatt (MW)
BIPV Building-Integrated Photovoltaic
NEC National Electrical Code
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