陶瓷封装材料的优点有：绝缘性能好，更可靠；介电系数较小，高频性能好；机械强度高，抗热冲击性能好；热膨胀系数小，热导率较高；气密性、化学稳定性好，能较好的保护电子器件。这些优点使其在航空、航天及军事领域得到广泛应用。目前应用较多的主要是A1203.Be0和AINA1203陶瓷一般是指以Al2O3为主要原料、α-A12O3为主晶相、Al2O3含量在75%以上的各种陶瓷，是目前应用最成熟的陶瓷封装材料，其热膨胀系数6.7X10-6K-1）与硅（（4.1X10-6K-1）能较好匹配、来源广泛、价格低廉、强度和硬度高，抗化学腐蚀性、耐热冲击性、绝缘性能良好，制作和加工工艺成熟，因而广泛应用于电子工业。
1929年，德国西门子公司成功研制了AI2O3陶瓷，并于1933年开始共业化生产。之后美国众多工厂、公司开始研究AI2O3陶瓷。AI2O3在我国也早己产业化生产，主要用于薄硅片或混合集成电路薄膜硅片。目前使用的AI2O3陶瓷基片大多采用多层基片，AI2O3含量占85~99.5%。AI2O3的含量越高，AI2O3陶瓷基片的绝缘性能、热导率越好，而烧结温度也随之升高，成本上升。加入少量滑石粉、碱土金属氧化物等烧结助剂可在不影响AI2O3；性能的前提下降低其烧结温度。Larson等人采用等离子体化学气相沉积技术，以含有碳、氢、硅、氧元素的混合气体为反应气体，在AI2O3陶瓷基体上沉积了含有金刚石和SiO2的复相过渡层，在复相薄膜上又沉积了金刚石涂层，进而研究了金刚石涂层对AI2O3陶瓷基片导热性能的影响。结果表明，有金刚石涂层的AI2O3陶瓷基片导热性能较好，同等条件下比普通AI2O3陶瓷基片温度梯度低50%左右。
AI2O3陶瓷目前应用很广，但是其热导率仍较低，只有20W•m-1K-1左右，难以满足自然冷却的要求，必须附加风扇、散热片或者水冷等手段强制冷却，或者降低基片厚度，增加高导热填料以降低热阻，这些都限制了它在高频、大功率，超大规模集成电路中的应用。
BeO陶瓷的显著特点是具有较高的导热率，其热导率与金属材料十分接近，在现今使用的陶瓷材料中，BeO室温下的热导率最高，同时它又是良好的绝缘体，介电常数低，损耗小，封装工艺适应性强。虽然BeO陶瓷在室温下热导率很高，可是随着工作温度的升高，其热导率会迅速下降，高温下BeO陶瓷的热导率与AI2O3陶瓷相差无几。BeO晶须可以透过人体皮肤进入体内，而且毒性很大，在制备时要采取特殊的防护措施，制备温度也很高，导致其成本也较高，限制了其应用。
AIN陶瓷是一种新型的封装材料，具有优异的电性能和热性能，其热膨胀系数（4.5X10-6K-1）与硅（4.1x10-6K-1）能很好匹配，各类集成电路芯片和人功率器件可以直接附着在AIN基片上，而不需要加过渡片，简化工艺的同时也避免了由热膨胀系数失配引起的失效，提高电子器件的可靠性。AIN陶瓷同时具有良好的弯曲强度，无毒害，所以更轻薄、更可靠、更环保，被认为是最有发展前途的高导热陶瓷基片。但是AIN在自然界并不天然存在，必须人工制备。制备高导热AlN陶瓷的关键是要提高纯度和致密度。AIN的共价键非常强，在常压上没有固定熔点，在2450℃升华分解，没有液相形成，难以致密化烧结。其低温致密烧结是一个急需解决的难题。Li等人在5.0GPa，1300℃且不添加烧结助剂的条件下通过热压烧结制备了相对密度96.3%的AIN陶瓷。Kume等人通过添加摩尔分数0.5%的Y2O3作为烧结助剂，无压、1900℃，N2气氛下烧结制备了热导率大于160W•m-1K-1的AlN陶瓷。虽然在制备工艺上取得了进展，AlN陶瓷的制备工艺依然复杂，成本较高，不易加工成复杂形状，且不能电镀，目前还不能大规模的生产和应用。
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