电子封装材料随着性能的提高经历了四个重要的发展步骤，也是电子封装材料取得大发展的三个阶段。
第一代电子封装材料即传统电子封装材料，如：Kovar合金、Invar合金、W/Cu，Mo/Cu、环氧树脂、AI2O3陶瓷等。这类材料在某些方面具有较突出的性能，而其缺点限制了其发展。Kovar，Invar合金的热膨胀系数低，焊接和加工性能较好，但是热导率低，应用范围很窄。W/Cu，Mo/Cu热导率比Kovar、Invar合金高很多，但气密性不好，致密度较低，价格较高，加工、焊接性能差且密度大，应用受到限制。环氧树脂质轻、价廉、加工性能好、绝缘性好、热膨胀系数低，但是耐湿性和气密性较差，易造成污染。AI2O3陶瓷热膨胀系数低、价格低廉、强度和硬度高，抗化学腐蚀性、耐热冲击性、绝缘性能良好，但也存在热导率低的问题。随着科技的发展，第一代电子封装材料己经逐步被淘汰，取而代之的是性能更好更全面的复合材料。
第二代电子封装材料是目前研究比较多的SiC/AI、SiC/Cu，Si/AI等复合电子封装材料。复合材料能充分利用各组分优点，将其不足对性能的影响控制到最小，获得各个方面均有较高性能的电子封装材料。这类材料热导率在200~400W•m-1K-1之间，通过对基体与增强相的配比的调节，可以实现热膨胀系数的可调节性。SiC/Al兼有SiC和Al的优点：高弹性模量、高硬度、高强度、轻质、热导率较高、热膨胀系数较小、抗氧化性能好、高温强度大，但表面处理和加工比较困难，焊接性能差，一度阻碍了SiC/AI复合材料的推广应用。SiC/Cu也具有很好的热导率和强度，但是二者之间的润湿性较差，导致高体积分数的SiC/Cu复合材料致密度较低，Cu的热膨胀系数相对较高，为降低其热膨胀系数必然加入更多SiC，致使目前高体积分数SiC/Cu复合材料热导率相对偏低。尽管存在不足，第二代封装材料的综合性能己经大大超越第一代，复合材料为电子封装材料未来的发展指明了方向。
第三代电子封装材料是近几年国内外的研究热门：高热导电子封装材料。如Cu/Diamond.AI/Diamond.Diamond/SiC等。是在第二代的基础上发展出来的新一代复合材料，突出特点是热导率很高，基本都在400W•m-1K-1以上。金刚石热导率极高，热膨胀系数很低，强度、硬度、化学稳定性也很高，是电子封装的理想材料。近年来人造金刚石价格逐步下降，结合Cu，Al，SiC等价格低廉的组分，应用领域不断扩大。促使人们对其进行越来越多的研究，并取得了一定成果。通过压力熔渗等方法制备的金刚石一铜、铝复合材料，获得了不错的热导率。目前这类复合材料制备的关键问题是金属与余刚石的润湿性差，界面质量和致密度对热导率影响大，通过金刚石表面改性等方法已经在制备上取得了一定进步，但是仍未能完美解决，润湿性是目前的研究热点之一。金刚石-金属复合材料的高温高压制备技术己形成较系统的体系，但低压或无压方面研究基本没有。目前的技术不成熟，制备出的成品形状单、结构简单，成品表面质量不高，严重影响气密性、加工性能及可焊接性，为提高表面质量所做的后续处理如化学镀和电镀等，对整体导热性的影响是致命的。这些技术难题使得金刚石-金属复合材料实际大规模应用推广和发展受到阻碍。
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