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柱状晶结构热障涂层的沉积生长和织构

时间:2019-11-14 19:19:57  来源:  作者:

 

多晶结构的陶瓷涂层在沉积生长过程中,各晶粒沿着某些方向集聚排列,形成某一方向上取向几率增大的现象,称作涂层的择优取向。择优取向对涂层的物理化学及力学性能有着显著的影响。PS制备的涂层在喷涂过程中熔滴快速铺展,单片层中形成的垂直于基体表面的柱状晶粒存在择优取向。涂层沉积生长初期,柱状晶为细小晶体堆积形成的致密结构。随着厚度的增加,柱状晶垂直基材生长,每个柱状晶并不是一个单晶结构,而是由众多更细小柱状晶构成,柱与柱之间存在一定间隙。柱间间隙来源于气相冷凝和由不平整的柱状晶引起的宏观阴影,造成涂层内部生长的柱与柱相互竞争,部分小柱停止生长,形成大小柱交替堆积的结构,交汇的地方形成间隙。在极图中寻找密度高的区域,可以根据其晶体学取向与样品的宏观坐标轴解读出样品的择优取向,择优取向越明显,其强度值越大。柱的直径与准等轴晶的尺度相似,柱状结构中存在空隙和气孔。准等轴晶区域内晶粒随机取向。在准等轴晶层和柱状结构之间无外延生长,但柱的生长具有择优取向。涂层呈现张应力,主要来源于淬火应力、热膨胀失配应力和热梯度应力等,陶瓷层沉积过程中应力基本没有明显集中。

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