等离子体辅助渗氮（PlasmaAssistedNitriding，PAN）技术是90年代离子渗氮发展的新技术，与活性屏等离子渗氮类似，它是将等离子体发生源与试样分开，真空腔室中单独设置一个等离子体发生器。传统离子渗氮技术气体放电是在异常辉光放电区，且具有放电不稳定性，需要的电压电流较大，容易产生局部温度过高而损伤试样，造成渗氮不均匀。等离子源辅助渗氮技术与活性屏渗氮技术的差异在于等离子体轰击的依然为腔室内的试样表面。但是增加了等离子体发生器来离化含氮气体，等离子的产生不再依靠试样。
HasselThomas等人采用等离子体辅助渗氮技术在常压下对试样进行处理，利用发送弧放电技术作为辅助源产生等离子体，结果表明常压渗氮显著提高了试样的硬度与耐蚀性。中国科学院金属研究所采用了电弧等离子体辅助渗氮技术，相比于传统的离子渗氮，渗氮气压低（1Pa），工作真空度提高2-3个数量级，且等离子密度极大提高，避免工件表面产生弧光放电和因空心阴极效应所造成的局部温度过高。
等离子体辅助渗氮根据提供等离子体源的不同可分为:空心阴极等离子体弧源、热灯丝放电等离子体源、射频等离子体源、电子束源。本实验所用的专利技术电弧增强辉光放电（ArcEnhanceGlowDischarge,AEGD）技术又称为电弧等离子体辅助渗氮技术，用于试样清洗时，等离子刻蚀处理保证了优异的涂层结合力，用于等离子渗氮处理，提高了渗氮速率、降低渗氮温度，获得成分和结构可调控的渗氮层。等离子体的产生不是依靠试样，而是依赖于阴极电弧源。电弧源的工作原理类似与阴极电弧离子镀技术，电弧源利用弧光放电离化含氮气体，在低温、低压下，氮原子以热扩散的形式进行离子体改性。电弧等离子体辅助渗氮技术属于空心阴极等离子体弧源技术的一种。经过了不断的总结与分析CZerW1eC建立了等离子体辅助渗氮模型，指出离子源辅助渗氮过程是吸附、注入、扩散的过程。
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